Tanggal 4 April 2011 yang lalu Hynix mengumumkan bahwa mereka telah berhasil mengembangkan modul memory DDR4 DRAM. ECC-SODIMM (Error Check & Correction Small Outline Dual In-line Memory Module). Memory DDR4 DRAM dikembangkan oleh Hynix dengan mempergunakan teknologi proses 30 nm, mempunyai kapasitas 2 Gb (Gigabit) dan juga 2 GB (Gigabyte). Produk DDR4 DRAM didesain untuk server mikro serta sudah memenuhi standar JEDEC. Hynix merencanakan akan mulai memproduksi DDR4 DRAM secara masal pada paruh kedua tahun 2012. Dengan hadirnya modul DDR4 DRAM hasil pengembangan Hynix Semiconductor Inc, menunjukkan superioritas Korea Selatan dalam mendesain memory tercepat dunia, setelah sebelumnya Samsung berhasil mengembangkan DDR4.
DDR4 DRAM merupakan memory generasi mendatang yang mengkonsumsi daya lebih sedikit dibanding DDR3 DRAM saat melakukan transfer data. DDR4 DRAM mampu bekerja dengan kecepatan 2400 Mbps, artinya lebih cepat 80% dari DDR3 DRAM yang beroperasi pada kecepatan 1333 Mbps. DDR4 DRAM dapat beroperasi pada tegangan rendah 1.2 Volt dan memproses data 64-bit I/O hingga 19.2 GBps (Gigabytes per second).
"DDR4 DRAM sepenuhnya mendukung berbagai fitur yang dibutuhkan termasuk ramah lingkungan, efisiensi energi, dan performa tinggi. Dengan produk ini, Hynix akan memberikan solusi premium bukan hanya untuk konsumen PC dan server kami, tetapi juga bagi pasar tablet" ungkap Ji-Bum Kim, seorang Chief Marketing Officer Hynix.
Baca Juga :
0 komentar
Posting Komentar